Fonte de alimentación de silicio policristalino de 0~50V 0~5000A

Descrición do produto:

Especificacións:

Parámetros de entrada: 3 fases, CA 480 V ± 10 %, 60 Hz

Parámetros de saída: CC 0~50 V 0~5000 A

Modo de saída: Saída común de CC

Método de refrixeración: refrixeración por aire/refrixeración por auga

Tipo de fonte de alimentación: baseada en IGBT

Industria de aplicación: presión e redución do forno de redución de silicio policristalino, crecemento de cristais

Tamaño do produto: 87*82,5*196 cm

Peso neto: 460 kg

Enviar correo electrónico a nós

Especificación
Tipo de billa	Grifos de lavabo de baño,
Tipo de instalación	Centro,
orificios de instalación	Un burato,
Número de asas	asa única,
Rematar	Ti-PVD,
Estilo	País,
Caudal	1,5 GPM (5,7 L/min) máx.
Tipo de válvula	Válvula de cerámica,
Interruptor de frío e calor	Si,
Dimensións
Altura total	240 mm (9,5 polgadas),
Altura do bico	155 mm (6,1 polgadas),
Lonxitude do bico	160 mm (6,3 polgadas),
Centro de billas	Buraco único,
Material
Material do corpo da billa	Latón,
Material da billa	Latón,
Material da asa da billa	Latón,
Información sobre accesorios
Válvula incluída	Si,
Drenaxe incluída	Non,
Pesos
Peso neto (kg)	0,99,
Peso de envío (kg)	1.17,

Parámetros de entrada

Entrada de CA 480 V ± 10 %, trifásica
Parámetros de saída

CC 0~50V 0~5000A axustable continuamente
Potencia de saída

250 kW
Método de arrefriamento

refrixeración por aire forzado / refrixeración por auga
PLC analóxico

0-10 V/ 4-20 mA/ 0-5 V
Interface

RS485/RS232
Modo de control

deseño de control remoto
Pantalla

pantalla dixital
Proteccións múltiples

falta de fase sobrequecemento sobretensión sobrecorrente curtocircuíto
Vía de control

PLC/Microcontrolador

Modelo e datos

Número de modelo	Ondulación de saída	Precisión actual da visualización	Precisión da visualización de voltios	Precisión CC/CV	Aceleración e desaceleración	Exceso de tiro
GKD50-5000CVC	VPP ≤ 0,5 %	≤10mA	≤10mV	≤10mA/10mV	0~99S	No

Aplicacións do produto

O polisilicio é unha forma de silicio elemental. Cando o silicio elemental fundido solidifica en condicións de superenfriamento, os átomos de silicio dispóñense en moitos núcleos cristalinos en forma dunha rede de diamante. Se estes núcleos cristalinos medran en grans con diferentes orientacións do plano cristalino, entón estes grans combínanse para cristalizar en silicio policristalino.